MOSFET Vishay SI1302DL-T1-E3, VDSS 30 V, ID 600 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 655-6795PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI1302DL-T1-E3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

600 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-323

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

480 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

280 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,86 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud:

2.2mm

Material del transistor

Si

Profundidad

1.35mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1mm

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET Vishay SI1302DL-T1-E3, VDSS 30 V, ID 600 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10€ 3,71
20€ 7,43
30€ 11,14
40€ 14,85
50€ 18,56
60€ 22,28
70€ 25,99
80€ 29,70
90€ 33,41
100€ 27,90
110€ 30,69
120€ 33,48
130€ 36,27
140€ 39,06
150€ 41,85

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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Rollo
10 - 90€ 0,371€ 3,71
100 - 490€ 0,279€ 2,79
500 - 990€ 0,26€ 2,60
1000 - 2490€ 0,204€ 2,04
2500+€ 0,175€ 1,75

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N

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SOT-323

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Conteo de Pines

3

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480 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

280 mW

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Single

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±20 V

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Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud:

2.2mm

Material del transistor

Si

Profundidad

1.35mm

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