MOSFET Vishay SI1050X-T1-GE3, VDSS 8 V, ID 1,34 A, SOT-523 (SC-89) de 6 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
1.34 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
8 V
Tipo de Encapsulado
SOT-523 (SC-89)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
120 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.35V
Disipación de Potencia Máxima
236 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-5 V, +5 V
Ancho
1.2mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
1.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,7 nC a 5 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.6mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
20
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N
Maximum Continuous Drain Current
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
120 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.35V
Disipación de Potencia Máxima
236 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-5 V, +5 V
Ancho
1.2mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
1.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,7 nC a 5 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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