MOSFET Vishay SI1029X-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 190 mA, 300 mA, SC-89-6 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
190 mA, 300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SC-89-6
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 Ω, 8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Largo
1.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1700 nC a 15 V, 750 nC a 4,5 V
Profundidad
1.7mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.6mm
Datos del producto
MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
20
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,432 | € 8,63 |
| 200 - 480 | € 0,405 | € 8,09 |
| 500 - 980 | € 0,367 | € 7,34 |
| 1000 - 1980 | € 0,345 | € 6,90 |
| 2000+ | € 0,324 | € 6,48 |
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SC-89-6
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 Ω, 8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Largo
1.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1700 nC a 15 V, 750 nC a 4,5 V
Profundidad
1.7mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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