MOSFET Vishay SI1012CR-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 630 mA, SC-75 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 787-9005PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI1012CR-T1-GE3
brand-logo
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

630 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SC-75

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.1 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

240 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,3 nC a 8 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

1.68mm

Ancho

0.86mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

0.8mm

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Información de stock no disponible temporalmente.

€ 19,95

€ 0,10 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET Vishay SI1012CR-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 630 mA, SC-75 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

200

Disponible en múltiplos de 20
200€ 19,95
220€ 21,94
240€ 23,94
260€ 25,93
280€ 27,92
300€ 29,92
320€ 31,91
340€ 33,91
360€ 35,90
380€ 37,90
400€ 39,89
420€ 41,89
440€ 43,88
460€ 45,88
480€ 47,87

€ 19,95

€ 0,10 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET Vishay SI1012CR-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 630 mA, SC-75 de 3 pines, , config. Simple
Información de stock no disponible temporalmente.
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

200

Disponible en múltiplos de 20
200€ 19,95
220€ 21,94
240€ 23,94
260€ 25,93
280€ 27,92
300€ 29,92
320€ 31,91
340€ 33,91
360€ 35,90
380€ 37,90
400€ 39,89
420€ 41,89
440€ 43,88
460€ 45,88
480€ 47,87

Información de stock no disponible temporalmente.

Vuelva a verificar más tarde.

CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Rollo
200 - 480€ 0,10€ 2,00
500 - 980€ 0,089€ 1,78
1000 - 1980€ 0,077€ 1,55
2000+€ 0,076€ 1,52

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

630 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SC-75

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.1 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

240 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,3 nC a 8 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

1.68mm

Ancho

0.86mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

0.8mm

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more