MOSFET Vishay SI1012CR-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 630 mA, SC-75 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
630 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SC-75
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
240 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Profundidad
0.86mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,3 nC a 8 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
1.68mm
Altura
0.8mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 2,90
€ 0,145 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
Estándar
20
€ 2,90
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Estándar
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Cinta |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,145 | € 2,90 |
| 200 - 480 | € 0,101 | € 2,02 |
| 500 - 980 | € 0,09 | € 1,81 |
| 1000 - 1980 | € 0,078 | € 1,57 |
| 2000+ | € 0,077 | € 1,54 |
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Tipo de Encapsulado
SC-75
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
240 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Profundidad
0.86mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,3 nC a 8 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
1.68mm
Altura
0.8mm
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