Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
DO-219AB
Corriente Continua Máxima Directa
1A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
200V
Configuración de diodo
Single
Tipo de Diodo
Silicon Junction
Conteo de Pines
2
Caída de tensión directa máxima
1.05V
Número de Elementos por Chip
1
Tecnología de diodo
Silicon Junction
Tiempo de Recuperación Inverso de Pico
780ns
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
25A
País de Origen
China
Datos del producto
Rectificadores de recuperación estándar, de 1 A a 450 V
Diodos de potencia de recuperación estándar versátiles y de alta eficacia en tipos de encapsulado estándar del sector.
Diodes and Rectifiers, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
100
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Surface Mount
Tipo de Encapsulado
DO-219AB
Corriente Continua Máxima Directa
1A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
200V
Configuración de diodo
Single
Tipo de Diodo
Silicon Junction
Conteo de Pines
2
Caída de tensión directa máxima
1.05V
Número de Elementos por Chip
1
Tecnología de diodo
Silicon Junction
Tiempo de Recuperación Inverso de Pico
780ns
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
25A
País de Origen
China
Datos del producto
Rectificadores de recuperación estándar, de 1 A a 450 V
Diodos de potencia de recuperación estándar versátiles y de alta eficacia en tipos de encapsulado estándar del sector.