Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayConfiguración de diodo
Single
Número de Elementos por Chip
1
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
DO-213AB
Tecnología de diodo
Silicon Junction
Caída de tensión directa máxima
1.3V
Conteo de Pines
2
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
5.2mm
Dimensiones del Cuerpo
5.2 x 2.67mm
Diámetro
2.67mm
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto
Rectificadores de recuperación rápida de 1 A, Vishay Semiconductor
Diodos de potencia de recuperación rápida versátiles y de alta eficacia en tipos de encapsulado estándar del sector.
Perfil bajo con altura de 1 mm
Rectificador de avalancha
Diodes and Rectifiers, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
50
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VishayConfiguración de diodo
Single
Número de Elementos por Chip
1
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
DO-213AB
Tecnología de diodo
Silicon Junction
Caída de tensión directa máxima
1.3V
Conteo de Pines
2
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
5.2mm
Dimensiones del Cuerpo
5.2 x 2.67mm
Diámetro
2.67mm
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto
Rectificadores de recuperación rápida de 1 A, Vishay Semiconductor
Diodos de potencia de recuperación rápida versátiles y de alta eficacia en tipos de encapsulado estándar del sector.
Perfil bajo con altura de 1 mm
Rectificador de avalancha