Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
IPAK (TO-251)
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,7 nC a 10 V
Ancho
2.38mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.73mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
6.22mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
$ 1,84
$ 1,84 Each (Sin IVA)
1
$ 1,84
$ 1,84 Each (Sin IVA)
1
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 9 | $ 1,84 |
10 - 49 | $ 1,66 |
50 - 99 | $ 1,56 |
100 - 249 | $ 1,38 |
250+ | $ 1,28 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
IPAK (TO-251)
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,7 nC a 10 V
Ancho
2.38mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.73mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
6.22mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto