MOSFET Vishay IRFU9110PBF, VDSS 100 V, ID 3,1 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 541-1663Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: IRFU9110PBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

3.1 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

IPAK (TO-251)

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.2 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8,7 nC a 10 V

Ancho

2.38mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

6.73mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

6.22mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 1,84

$ 1,84 Each (Sin IVA)

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CantidadPrecio Unitario sin IVA
1 - 9$ 1,84
10 - 49$ 1,66
50 - 99$ 1,56
100 - 249$ 1,38
250+$ 1,28

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Vishay

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

3.1 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

IPAK (TO-251)

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.2 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8,7 nC a 10 V

Ancho

2.38mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

6.73mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

6.22mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

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