MOSFET Vishay IRFR9220PBF, VDSS 200 V, ID 3,6 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
3.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.73mm
Material del transistor
Si
Profundidad
6.22mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
2.39mm
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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| 50 - 99 | € 1,80 |
| 100 - 249 | € 1,69 |
| 250+ | € 1,59 |
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.73mm
Material del transistor
Si
Profundidad
6.22mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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