MOSFET Vishay IRFR9210TRPBF, VDSS 200 V, ID 1,9 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
1.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,9 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
6.22mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Altura
2.38mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
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Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud:
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Número de Elementos por Chip
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Profundidad
6.22mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Altura
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