MOSFET Vishay IRFR430ATRPBF, VDSS 500 V, ID 5 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,7 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
24 nC a 10 V
Ancho
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
2.38mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
2000
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N
Maximum Continuous Drain Current
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,7 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
24 nC a 10 V
Ancho
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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