N-channel MOSFET,IRFR110 4.3A 100V 75pcs
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
D-PAK
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
540 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,3 nC a 10 V
Ancho
6.22mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
2.39mm
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
D-PAK
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
540 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,3 nC a 10 V
Ancho
6.22mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
2.39mm