N-channel MOSFET,IRFR110 4.3A 100V 75pcs

Brand

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

4.3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

D-PAK

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

540 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8,3 nC a 10 V

Ancho

6.22mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Altura

2.39mm