Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
235 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
370000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
150 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
15.87mm
Profundidad
5.31mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
20.7mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 7,45
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1
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 9 | € 7,45 |
10 - 24 | € 7,23 |
25 - 49 | € 6,85 |
50 - 99 | € 6,56 |
100+ | € 6,17 |
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
235 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
370000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
150 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
15.87mm
Profundidad
5.31mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
20.7mm
Datos del producto