Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
14 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
37000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
9.8mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 1,089
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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50
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
50 - 50 | € 1,089 | € 54,44 |
100 - 200 | € 1,034 | € 51,69 |
250+ | € 0,98 | € 49,00 |
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
14 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
37000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
9.8mm
País de Origen
China
Datos del producto