Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Altura
9.8mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 1,864
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
€ 1,864
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
50 - 50 | € 1,864 | € 93,22 |
100 - 200 | € 1,585 | € 79,27 |
250+ | € 1,492 | € 74,60 |
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Altura
9.8mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto