MOSFET Vishay IRFI820GPBF, VDSS 500 V, ID 2,1 A, TO-220FP de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
24 nC a 10 V
Altura
9.8mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,364 | € 68,18 |
| 100 - 200 | € 1,173 | € 58,65 |
| 250+ | € 1,091 | € 54,56 |
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
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3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
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Single
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Si
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Altura
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