Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
9.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
180 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
70 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.8mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 18,93
€ 1,89 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Cinta)
10
€ 18,93
€ 1,89 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Cinta)
10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
10 - 49 | € 1,89 |
50 - 99 | € 1,78 |
100 - 249 | € 1,66 |
250+ | € 1,55 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
9.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
180 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
70 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.8mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto