MOSFET Vishay IRFI510GPBF, VDSS 100 V, ID 4,5 A, TO-220FP de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
4,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
540 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
27 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
4.83mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
10.63mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,3 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
16.12mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 450 | € 0,515 | € 25,73 |
| 500 - 1200 | € 0,484 | € 24,21 |
| 1250 - 2450 | € 0,437 | € 21,87 |
| 2500 - 4950 | € 0,412 | € 20,58 |
| 5000+ | € 0,386 | € 19,30 |
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
540 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
27 W
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
4.83mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
10.63mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,3 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
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