MOSFET Vishay IRFD9120PBF, VDSS 100 V, ID 1 A, HVMDIP de 4 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
HVMDIP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
600 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
5mm
Profundidad
6.29mm
Material del transistor
Si
Altura
3.37mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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| 100 - 249 | € 1,40 |
| 250+ | € 1,36 |
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Tipo de montaje
Through Hole
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4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
600 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
5mm
Profundidad
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Material del transistor
Si
Altura
3.37mm
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