Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
1.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
HVMDIP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
6.29mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 10 V
Altura
3.37mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
6.3V
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 1,203
Each (In a Tube of 100) (Sin IVA)
100
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
100 - 100 | € 1,203 | € 120,34 |
200 - 400 | € 1,179 | € 117,89 |
500+ | € 1,119 | € 111,92 |
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
1.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
HVMDIP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
6.29mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 10 V
Altura
3.37mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
6.3V
País de Origen
Philippines
Datos del producto