MOSFET Vishay IRFD9014PBF, VDSS 60 V, ID 1,1 A, HVMDIP de 4 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
HVMDIP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
500 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12 nC a 10 V
Ancho
6.29mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
3.37mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 6,45
€ 0,65 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Cinta)
10
€ 6,45
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Empaque de Producción (Cinta)
10
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 10 - 49 | € 0,65 |
| 50 - 99 | € 0,57 |
| 100 - 249 | € 0,54 |
| 250+ | € 0,49 |
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
500 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12 nC a 10 V
Ancho
6.29mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
3.37mm
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