MOSFET Vishay IRFD210PBF, VDSS 200 V, ID 600 mA, HVMDIP de 4 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
600 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Tipo de Encapsulado
HVMDIP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5mm
Ancho
6.29mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,2 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
3.37mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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|---|---|
| 1 - 9 | € 0,65 |
| 10 - 49 | € 0,60 |
| 50 - 99 | € 0,53 |
| 100 - 249 | € 0,49 |
| 250+ | € 0,46 |
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Through Hole
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1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
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Longitud
5mm
Ancho
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Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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