MOSFET Vishay IRFBG20PBF, VDSS 1.000 V, ID 1,4 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
1.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1000 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
11 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
54 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.41mm
Ancho
4.7mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.01mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 1,24
Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Cinta)
1
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | € 1,24 |
| 10 - 49 | € 1,04 |
| 50 - 99 | € 0,99 |
| 100 - 249 | € 0,93 |
| 250+ | € 0,87 |
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Tipo de Montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
11 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
54 W
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.41mm
Ancho
4.7mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
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