MOSFET Vishay IRFB13N50APBF, VDSS 500 V, ID 14 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
14 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
450 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
250000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.41mm
Anchura
4.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
81 nC a 10 V
Altura
9.01mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Price on asking
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
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2V
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Material del transistor
Si
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Largo
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Anchura
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Altura
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