MOSFET Vishay IRF9Z34PBF, VDSS 60 V, ID 18 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
140 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
88000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
10.41mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
34 nC a 10 V
Profundidad
4.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
9.01mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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|---|---|---|
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| 100 - 200 | € 1,707 | € 85,34 |
| 250+ | € 1,617 | € 80,85 |
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
140 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
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Si
Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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