MOSFET Vishay IRF9Z10PBF, VDSS 60 V, ID 4,7 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
4.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
500 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
43000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
10.51mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12 nC a 10 V
Ancho
4.65mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
15.49mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
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|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,35 | € 67,48 |
| 100 - 200 | € 1,147 | € 57,36 |
| 250+ | € 1,013 | € 50,64 |
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
500 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
43000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
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1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Ancho
4.65mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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