MOSFET Vishay IRF9640SPBF, VDSS 200 V, ID 11 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
500 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
44 nC a 10 V
Profundidad
9.65mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.41mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
4.83mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Price on asking
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
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500 mΩ
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Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
3 W
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Profundidad
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Material del transistor
Si
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Altura
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