MOSFET Vishay IRF9540PBF, VDSS 100 V, ID 19 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
19 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
61 nC a 10 V
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.41mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
9.01mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 9,42
$ 1,883 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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Información de stock no disponible temporalmente.
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 45 | $ 1,883 | $ 9,42 |
| 50 - 120 | $ 1,601 | $ 8,00 |
| 125 - 245 | $ 1,507 | $ 7,53 |
| 250 - 495 | $ 1,413 | $ 7,06 |
| 500+ | $ 1,318 | $ 6,59 |
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Tipo de montaje
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
61 nC a 10 V
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.41mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
9.01mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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