MOSFET Vishay IRF9530SPBF, VDSS 100 V, ID 12 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
3.7 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38 nC a 10 V
Ancho
9.02mm
Altura
4.83mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 2,014
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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|---|---|---|
| 50 - 50 | € 2,014 | € 100,70 |
| 100 - 200 | € 1,712 | € 85,58 |
| 250+ | € 1,611 | € 80,56 |
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
3.7 W
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Ancho
9.02mm
Altura
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