MOSFET Vishay IRF9520PBF, VDSS 100 V, ID 6.8 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 708-5140PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: IRF9520PBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

6.8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

600 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

60000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

18 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.41mm

Ancho

4.7mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

9.01mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 1,524

Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)

MOSFET Vishay IRF9520PBF, VDSS 100 V, ID 6.8 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10€ 15,24
20€ 30,48
30€ 45,72
40€ 60,95
50€ 74,67
60€ 89,61
70€ 104,54
80€ 119,48
90€ 134,41
100€ 129,46
110€ 142,41
120€ 155,36
130€ 168,30
140€ 181,25
150€ 194,20

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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Tubo
10 - 40€ 1,524€ 15,24
50 - 90€ 1,493€ 14,94
100 - 240€ 1,295€ 12,95
250 - 490€ 1,235€ 12,35
500+€ 1,006€ 10,06

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Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

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Tipo de montaje

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

600 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

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Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

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18 nC a 10 V

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+175 °C

Longitud

10.41mm

Ancho

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Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

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