Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
3.7 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
9.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
10.41mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,7 nC a 10 V
Altura
4.83mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
50
P.O.A.
50
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
3.7 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
9.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
10.41mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,7 nC a 10 V
Altura
4.83mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto