MOSFET Vishay IRF840APBF, VDSS 500 V, ID 8 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
850 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.41mm
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38 nC a 10 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.01mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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|---|---|
| 1 - 9 | € 2,12 |
| 10 - 49 | € 1,84 |
| 50 - 99 | € 1,75 |
| 100 - 249 | € 1,65 |
| 250+ | € 1,52 |
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TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
850 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.41mm
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38 nC a 10 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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