MOSFET Vishay IRF740PBF, VDSS 400 V, ID 10 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
400 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
550 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
63 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
10.41mm
Ancho
4.7mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
9.01mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 300 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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| 10 - 49 | € 2,36 |
| 50 - 99 | € 2,25 |
| 100 - 249 | € 2,11 |
| 250+ | € 1,96 |
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TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
550 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
10.41mm
Ancho
4.7mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
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