MOSFET Vishay IRF620PBF, VDSS 200 V, ID 5,2 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
800 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 10 V
Ancho
4.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.41mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.01mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 7,74
€ 0,77 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Cinta)
10
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Empaque de Producción (Cinta)
10
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 10 - 49 | € 0,77 |
| 50 - 99 | € 0,74 |
| 100 - 249 | € 0,65 |
| 250+ | € 0,60 |
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Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
800 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 10 V
Ancho
4.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.41mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.01mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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