MOSFET Vishay IRF530PBF, VDSS 100 V, ID 14 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
14 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
160 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
88 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
26 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.41mm
Altura
9.01mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 6,77
€ 1,355 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
€ 6,77
€ 1,355 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Estándar
5
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 45 | € 1,355 | € 6,78 |
50 - 120 | € 1,154 | € 5,77 |
125 - 245 | € 1,083 | € 5,41 |
250 - 495 | € 1,018 | € 5,09 |
500+ | € 0,949 | € 4,74 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
14 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
160 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
88 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
26 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.41mm
Altura
9.01mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto