MOSFET Vishay IRF510PBF, VDSS 100 V, ID 5.6 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
5.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
540 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
43000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.41mm
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,3 nC a 10 V
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
9.01mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
10
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,326 | € 13,26 |
| 100 - 240 | € 0,995 | € 9,95 |
| 250 - 490 | € 0,822 | € 8,22 |
| 500 - 990 | € 0,73 | € 7,30 |
| 1000+ | € 0,531 | € 5,31 |
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
540 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
43000 mW
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
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1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.41mm
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,3 nC a 10 V
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