Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Dual
Tensión Residual Máxima
8.7V
Tensión Mínima de Ruptura
6V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tensión de Corte Inversa Máxima
5V
Conteo de Pines
3
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
612W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
30A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Dimensiones del Cuerpo
3.1 x 1.43 x 0.97mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.97mm
Ancho
1.43mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
10µA
Estándar de automoción
AEC-Q101
Capacitancia
350pF
Longitud
3.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
Protección contra ESD de dos líneas, serie GSOT, Vishay Semiconductor
Inmunidad ESD en conformidad con IEC 61000-4-2
Descarga de contacto de ±30 kV
Descarga de aire de ±30 kV
Transient Voltage Suppressors, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
50
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50
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Dual
Tensión Residual Máxima
8.7V
Tensión Mínima de Ruptura
6V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tensión de Corte Inversa Máxima
5V
Conteo de Pines
3
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
612W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
30A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Dimensiones del Cuerpo
3.1 x 1.43 x 0.97mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.97mm
Ancho
1.43mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
10µA
Estándar de automoción
AEC-Q101
Capacitancia
350pF
Longitud
3.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
Protección contra ESD de dos líneas, serie GSOT, Vishay Semiconductor
Inmunidad ESD en conformidad con IEC 61000-4-2
Descarga de contacto de ±30 kV
Descarga de aire de ±30 kV