Documentos Técnicos
Especificaciones
Número de Elementos por Chip
1
Conteo de Pines
2
Tecnología de diodo
Silicon Junction
Caída de tensión directa máxima
1V
Capacitancia Máxima del Diodo
3pF
Tensión Inversa Máxima
125V
Configuración de diodo
Single
Corriente Máxima Directa
200mA
Tipo de montaje
Montaje superficial
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Profundidad
1.2mm
Longitud:
2mm
Altura
1.2mm
Tipo de Encapsulado
MicroMELF
Brand
VishayDimensiones
2 x 1.2 x 1.2mm
País de Origen
China
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P.O.A.
10000
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1
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2
Tecnología de diodo
Silicon Junction
Caída de tensión directa máxima
1V
Capacitancia Máxima del Diodo
3pF
Tensión Inversa Máxima
125V
Configuración de diodo
Single
Corriente Máxima Directa
200mA
Tipo de montaje
Montaje superficial
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Profundidad
1.2mm
Longitud:
2mm
Altura
1.2mm
Tipo de Encapsulado
MicroMELF
Brand
VishayDimensiones
2 x 1.2 x 1.2mm
País de Origen
China