MOSFET Vishay 2N7002K-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 787-9058Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: 2N7002K-T1-GE3
brand-logo
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

300 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

350 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3.04mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,4 nC a 4,5 V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Ancho

1.4mm

Altura

1.02mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Información de stock no disponible temporalmente.

Vuelva a verificar más tarde.

Información de stock no disponible temporalmente.

€ 0,063

Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)

MOSFET Vishay 2N7002K-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

€ 0,063

Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)

MOSFET Vishay 2N7002K-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Información de stock no disponible temporalmente.
Seleccionar tipo de embalaje

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

300 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

350 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3.04mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,4 nC a 4,5 V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Ancho

1.4mm

Altura

1.02mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more