Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,4 nC a 4,5 V
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Altura
1.02mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 0,063
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,4 nC a 4,5 V
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Altura
1.02mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
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