N-Channel MOSFET, 250 A, 40 V, 7-Pin D2PAK Vishay Siliconix SQM40016EM_GE3
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
250 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.83mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Material del transistor
Si
Largo
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
163 nC a 10 V
Altura
11.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
Taiwan, Province Of China
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€ 1.106,06
€ 1,383 Each (On a Reel of 800) (Sin IVA)
800
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
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Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Material del transistor
Si
Largo
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
163 nC a 10 V
Altura
11.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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