P-Channel MOSFET, 16 A, 80 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L Vishay Siliconix SQJ481EP-T1_GE3
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
-16 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8L
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
90 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Largo
5.99mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
33 nC a 10 V
Ancho
5mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Altura
1.07mm
País de Origen
China
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€ 17,88
€ 0,715 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
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| 25 - 75 | € 0,715 | € 17,88 |
| 100 - 475 | € 0,551 | € 13,78 |
| 500 - 975 | € 0,47 | € 11,75 |
| 1000+ | € 0,376 | € 9,39 |
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P
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-16 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Series
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Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8L
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
90 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Largo
5.99mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
33 nC a 10 V
Ancho
5mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
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