Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 3-Pin DPAK SQD40061EL_GE3
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
107000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
185 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
2.38mm
Altura
6.22mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
País de Origen
Taiwan, Province Of China
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€ 1.377,45
€ 0,689 Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)
2000
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Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
107000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
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