Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 SQ2364EES-T1_GE3
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
600 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.46V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2 nC a 4,5 V
Profundidad
1.4mm
Altura
1.02mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China
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$ 40,76
$ 0,408 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
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100
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 100 - 475 | $ 0,408 | $ 10,19 |
| 500 - 975 | $ 0,34 | $ 8,50 |
| 1000+ | $ 0,289 | $ 7,22 |
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2 A
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60 V
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Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
600 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.46V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2 nC a 4,5 V
Profundidad
1.4mm
Altura
1.02mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
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