MOSFET Vishay Siliconix SiZ350DT-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 30 A, PowerPAIR de 3 x 3 de 8 pines, 2elementos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Serie
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
PowerPAIR de 3 x 3
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.4V
Disipación de Potencia Máxima
16,7 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-12 V, +16 V
Ancho
3mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13,5 nC a 10 V
Altura
0.75mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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€ 0,395
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.4V
Disipación de Potencia Máxima
16,7 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-12 V, +16 V
Ancho
3mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13,5 nC a 10 V
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