MOSFET Vishay Siliconix SiSH617DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 35 A, 1212 de 8 pines, config. Simple

Código de producto RS: 178-3697Marca: Vishay SiliconixNúmero de parte de fabricante: SiSH617DN-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay Siliconix

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

35 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

1212

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

20 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

52000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±25 V

Longitud

3.15mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

39 nC a 10 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Ancho

3.15mm

Número de Elementos por Chip

1

Tensión de diodo directa

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.07mm

País de Origen

China

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P.O.A.

MOSFET Vishay Siliconix SiSH617DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 35 A, 1212 de 8 pines, config. Simple

3000

Disponible en múltiplos de 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

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Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

35 A

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30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

1212

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

20 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

52000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±25 V

Longitud

3.15mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

39 nC a 10 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Ancho

3.15mm

Número de Elementos por Chip

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