MOSFET Vishay Siliconix SISC06DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 40 A, 1212 de 8 pines, 2elementos, config. Simple

Código de producto RS: 178-3694Marca: Vishay SiliconixNúmero de parte de fabricante: SISC06DN-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

-40 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Serie

TrenchFET

Tipo de Encapsulado

1212

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

46.3 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-16 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

3.15mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

38,5 nC a 10 V

Ancho

3.15mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

0.7V

Altura

1.07mm

País de Origen

China

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N

Maximum Continuous Drain Current

-40 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Serie

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Tipo de Encapsulado

1212

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

46.3 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-16 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

3.15mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

38,5 nC a 10 V

Ancho

3.15mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

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