MOSFET Vishay Siliconix SiS110DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 14,2 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
14.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK 1212-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
4V
Disipación de Potencia Máxima
24000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
3.15mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
3.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,5 nC a 10 V
Serie
TrenchFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.07mm
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
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€ 0,20
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Ancho
3.15mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,5 nC a 10 V
Serie
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Temperatura de Funcionamiento Mínima
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