MOSFET Vishay Siliconix SiA106DJ-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 12 A, SC-70-6L de 6 pines, , config. Simple
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Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
SC-70-6L
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
19 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,9 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
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€ 6,65
€ 0,665 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
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10
€ 6,65
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10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 40 | € 0,665 | € 6,65 |
50 - 90 | € 0,599 | € 5,99 |
100 - 490 | € 0,565 | € 5,64 |
500 - 990 | € 0,53 | € 5,30 |
1000+ | € 0,465 | € 4,65 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
SC-70-6L
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
19 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,9 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China