MOSFET Vishay Siliconix SI7469DP-T1-E3, VDSS 80 V, ID 28 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, config. Simple

Código de producto RS: 873-0976Marca: Vishay SiliconixNúmero de parte de fabricante: SI7469DP-T1-E3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay Siliconix

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

28 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Tipo de Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

29 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

83000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5.99mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

105 nC a 10 V

Profundidad

5mm

Material del transistor

Si

Series

TrenchFET

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

1.07mm

Datos del producto

MOSFET de canal P, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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MOSFET Vishay Siliconix SI7469DP-T1-E3, VDSS 80 V, ID 28 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, config. Simple

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
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Vishay Siliconix

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P

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28 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Tipo de Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

29 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

83000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5.99mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

105 nC a 10 V

Profundidad

5mm

Material del transistor

Si

Series

TrenchFET

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

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